Schéma fonctionnel

Points forts du produit:
- Fonctionnement ultra-large bande de 5 à 18 GHz
- Technologie CMOS, permettant la production de masse à faible coût
- Excellente performance RF: gain Tx/Rx plat, haute puissance de sortie, et contrôle précis de l'amplitude et de la phase
- Haute intégration et multifonctionnalité:
— Contrôle de puissance 5 canaux intégré: prise en charge du biais de grille PA (PA_VG), biais de drain (PA_VD), biais de drain LNA (LNA_VD), contrôle de commutation (SW), atténuateur (ATT), déphaseur (PHS), etc., permettant une interface directe avec les circuits intégrés semi-conducteurs composés.
— Capteur de température intégré et compensation de température, ensuring stable performance across a wide temperature range
— Integrated quantized 8-bit ADC
— Integrated power detector, covering –20 to +10 dBm input range
— Integrated beam storage supporting up to 121 preset beam states
— Integrated beam control logic for amplitude/phase switching, channel control, and auxiliary functions
Caractéristiques clés:
- Operating frequency: 5–18 GHz
- TDD half-duplex transmit/receive switching
- 4T4R RF channels with integrated power splitters and combiners
- 360° phase control, 7-bit resolution, 8° LSB
- 5 dB amplitude control range, 6-bit resolution, 0.5 dB LSB
- Integrated bias and channel control
- Integrated temperature sensor
- Integrated 8-bit ADC
- Beam storage for up to 121 beam states
- Power detection range: –20 dBm to +10 dBm
- Single-pin Tx/Rx switch control
- Standard 4-wire SPI interface
- Le chemin Rx prend en charge à la fois le mode de polarisation standard et le mode IP1dB élevé
Applications:
- Radar à réseau phasé
- Systèmes de communication par satellite